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2026年马年春节刚过，全球存储市场再迎涨价信号。行业分析指出，当前DRAM（动态随机存取存储器）与NAND（闪存）库存仅能维持约4周，供应紧张局面持续，价格上行趋势已基本确立。市场普遍预期，此轮全球存储芯片涨价周期或将贯穿2026年全年。值得关注的是，经过多年深耕，中国存储产业已形成完整梯队，其产能的逐步释放，有望成为影响本轮全球涨价潮走向的关键变量。

市场现状：低库存驱动价格持续上行
全球存储巨头SK海力士近期的最新表态，进一步加剧了市场对供应紧张的担忧。业内普遍共识是，由于下游需求复苏与上游产能调整之间存在时间差，叠加地缘政治等因素对供应链的扰动，存储芯片的低库存状态短期内难以逆转，这为价格的持续上涨提供了基本面支撑。从DRAM到NAND，全品类存储芯片的价格在2026年初均呈现强劲上扬态势。

中国力量：完整产业格局已然成形
经过多年发展，中国存储芯片产业已构建起清晰的竞争格局。在大容量存储领域，长鑫科技在DRAM、长江存储在NAND Flash领域已成为国内龙头；在利基与中小容量市场，以东芯股份、北京君正（SRAM）、兆易创新、普冉股份等为代表的企业形成了有力补充。一个覆盖大、中、小容量，包含DRAM、NAND、NOR Flash、SRAM等多品类的国产存储供应链体系日趋完善。

未来变量：中国产能释放或成“胜负手”
业界观察的核心焦点在于中国新增产能的投放节奏。在资本市场与国家战略的双重支持下，中国主要存储芯片制造商的产能扩张计划稳步推进。多家机构预测，自2026年下半年开始，国产存储芯片产能有望进入集中释放期，并在2027年形成显著增量。这部分新增供给一旦如期落地，将有效缓解全球市场的供给短缺压力，有望推动存储芯片价格从高位趋稳甚至理性回落。因此，中国存储产业的爬坡进度与量产规模，被视为决定本轮全球涨价潮持续时间与高度的关键“胜负手”。

从“价格接受者”到“格局影响者”的跨越
本轮全球存储芯片涨价潮，在凸显行业周期性规律的同时，也悄然改变了全球产业的权力结构。过去，中国存储产业更多是国际市场价格波动的“接受者”；如今，随着国产产能即将规模释放，其角色正转向全球供需平衡的“重要影响者”乃至“稳定器”。这标志着中国半导体产业在关键细分领域实现了从无到有、从弱到强的实质性突破。

然而，真正的挑战在于能否将产能优势转化为可持续的市场优势与技术优势。产能释放初期，国产芯片凭借成本与供应稳定性，有望在中低端市场快速替代，并平抑整体价格。但长期看，决定行业地位的仍是技术迭代速度、产品良率与高端市场渗透能力。中国存储产业的崛起，不仅是为了在涨价周期中分一杯羹，更是为了在全球半导体供应链中构建一个多元、稳定、有韧性的新支点。这场由“产能竞赛”开启的篇章，最终胜负将取决于“技术马拉松”的耐力。全球存储市场，正迎来一个由东方力量深度参与定义的新时代。

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